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IMMPATT二級(jí)管Sub_THz發(fā)射器

 

IMPATT Diode(碰撞雪崩渡越時(shí)間二極管)是一種高功率亞THz波段THz發(fā)射源。IMPATT二極管可以在3-400GHz范圍內(nèi)單頻,室溫運(yùn)行,體積小而功率高。

 

技術(shù)參數(shù):

型  號(hào)

IMPATT Diode 100GHz

IMPATT Diode 140GHz

出廠優(yōu)化優(yōu)化波長(zhǎng)

100 GHz

140 GHz

功率

80 mW

30 mW

線寬

1 MHz

1 MHz

TTL調(diào)制輸出頻率

1μs 上升/下降時(shí)間

 

 

特點(diǎn):

80-110GHz頻率范圍

輸出功率10mW

線寬窄至1MHz

1μs上升和下降時(shí)間的TTL調(diào)制模式可選

體積緊湊,低成本

 

相關(guān)圖片:

 

關(guān)于美國TeraSense公司

Terasense Group Inc. 是創(chuàng)新便攜式太赫茲 (THz) 成像系統(tǒng)、太赫茲成像相機(jī)、太赫茲源和太赫茲探測(cè)器的領(lǐng)先制造商。我們的產(chǎn)品平衡在科技突破的前沿,并具有多項(xiàng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。Terasense 是一家專注于研究的公司,致力于持續(xù)改進(jìn)的理念。我們采用獨(dú)創(chuàng)的專利保護(hù)技術(shù)制造用于成像傳感器陣列(相機(jī))的新型半導(dǎo)體探測(cè)器,有效覆蓋亞太赫茲和太赫茲范圍的電磁頻譜(50 GHz - 700 GHz)。

 

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IMMPATT二級(jí)管Sub_THz發(fā)射器

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